2024年04月12日，锴威特（688693.SH）发布2023年年度贯通，公司结束贸易收入2.14亿元，归母净利润为1779万元。贯通期内，公司财务结构不时优化，金钱欠债率为4.13%，同比下跌19.37个百分点。公司拟向整体推进每10股派1.7元（含税）。
锴威特业务聚焦“功率IC+功率器件”双轮运行的发展途径，掌持了功率半导体芯片的前端筹算工夫，自主搭建了多个功率半导体细分居品的工夫平台。在高可靠性、工业限制和破钞电子三大畛域，领有700余款居品，酿成了丰富的居品系列，部分居品已结束国产化发展和自主可控。贯通期内，公司功率器件、功率IC、工夫做事辞别结束贸易收入1.21亿元、5231.06万元、2244.12万元。
自主转变+双轮运行
SiC功率器件取得阶段性施展
凭据Yole的数据，追随工业自动化、通讯工夫、光伏、新动力车等浸透率不休进步，功率器件将看护永久增长，展望到2026年各人功率市集将达到262.74 亿好意思元。但永久以来，各人功率器件市集主要由国际厂商占据，尤其超高压平面MOSFET的国产化率约为18.2%。
公司功率器件居品以MOSFET为主，通过自主转变和工夫千里淀，公司积蓄了“高可靠性元胞结构”“新式复合结尾结构及结束工艺工夫”等多项中枢工夫，其中3项达到国际先进水平，可与国际当先厂商并排。当今，公司的功率器件居品领有近500款不同规格的居品，结束了平面MOSFET居品40—1500V的电压段阴事，已酿成低压、中压、高压全系列功率MOSFET居品系列，并在平面MOSFET工艺平台基础上筹算研发了集成快归附高压功率MOSFET（FRMOS）系列居品。尤其在工业限制畛域，公司不时深挖工业储能、光伏逆变、新动力汽车及充电桩、工业电源等细分垄断畛域的居品需求，推动了功率器件行业国产替代程度。
公司高度醉心推动居品的工夫高效升级，深度拓展前沿工夫的垄断，为下一步居品各样化筹算、降本增效、进步居品盈利才调打下基础。公司深度布局第三代功率半导体SiC MOSFET，积蓄了多项具有原创性和先进性的中枢工夫，其中3项达到国际先进水平，1项达到国内当先水平，是国内为数未几的具备650V—1700V SiC MOSFET居品筹算才调的企业之一，并结束了SiC MOSFET瓦解的性能和优良的良率限制。贯通期内，公司与国内晶圆代工场配合开拓了1200V、1700V SiC MOSFET的分娩工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已见效进入中试阶段。
在功率IC方面，公司居品主要包括PWM限制IC和栅极运行IC，已酿成百余款功率IC居品，并完成了多款功率IC所需的IP筹算与考证。公司各别化功率IC居品主要在高可靠畛域。在该畛域，居品需要知足较高的可靠性、精度偏激他条件，公司部分居品主义已达到海外竞品同等水平，并在其细分居品畛域逐步结束国产化替代。凭借丰富的居品矩阵与实时飞速的做事才调，锴威特已与跳跃400家客户进行配合，客户群阴事国内高可靠畛域电源龙头企业及国度重心科研院所，并赢得宽广高可靠畛域客户的高度招供。
在芯片产业国产替代的大布景下，相持“自主创芯，助力中枢芯片国产化”的发展定位，进一步结束对各样细分品类功率器件芯片的阴事，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的居品系列化。跟着居品系列的不休丰富，公司不休积蓄优质客户，在国产替代的大布景下，下搭客户自主可控意志增强，尤其是用于工业限制畛域的高性能居品及用于高可靠畛域的居品，国产化替代空间深广。
加大转变参预 强化中枢价值
研发用度同比增长58.55%
为看护工夫上风和保持居品竞争力，公司加大对居品及中枢工夫的研发参预，不休完善东说念主才培养体系。贯通期内，公司研发东说念主员东说念主数从岁首的40东说念主增至年末的65东说念主，同期树立南京分公司算作新的研发基地，依托临近高校资源，配合总部研发中心承担研发神情。2023年公司研发用度总和为3602万元，同比增长58.55%，研发收入比为16.85%，同比飞腾7.20个百分点。
扫尾2023年底，公司已获授权专利88项（其中发明专利47项、实用新式专利41项）和76项集成电路布图筹算私有权。贯通期内，针对高可靠、新动力、储能、智能电网等重心垄断畛域进行居品研发，公司新立项研发神情37个，在研神情所有这个词达89个。
改日，公司还将进一步结束对各样细分品类功率器件芯片的阴事，促进功率IC和第三代半导体功率器件的居品系列化。在功率器件方面，公司不时优化平面MOSFET、FRMOS等6英寸分娩线的居品结构和垄断畛域，加强在超高压电压段的居品布局；完善沟槽型MOSFET、超结MOSFET的居品系列，并对新动力汽车用的高压大电流的超结MOSFET的芯片封装工夫张开布局究诘，提高该类居品的制品率及可靠性。在第三代半导体功率器件方面，公司加大SiC居品的研发参预而况积极进行客户开拓，针对新动力汽车电源使用的1200V SiC MOSFET与围绕工业限制、智能电网、储能等畛域使用的1700V—2500V SiC MOSFET进行系列化开拓，推动我国在高可靠畛域基础元器件自主可控程度的发展。
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